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ZG纳秒SOI光电探测器芯片

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：1035

纳秒SOI光电探测器芯片，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
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ZG高速SOI光电探测器芯片

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：1321

高速SOI光电探测器芯片，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
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ZGSOI纳秒光开关芯片

更新时间：2025-02-17

型号：ZG

浏览量：1111

SOI纳秒光开关芯片该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
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ZGSOI芯片可调光滤波器隔离度可调

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：1066

SOI芯片可调光滤波器隔离度可调该产品基于硅基热调谐微环结构，光滤波器的中心波长和隔离度可调，实现了多通道光滤波器的单片集成，通过特殊设计实现了偏振无关特性，光电封装，数字化驱动。
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梓冠单片集成 7bit 可调光延时器芯片高速切换

更新时间：2024-12-27

型号：梓冠

浏览量：870

单片集成 7bit 可调光延时器芯片高速切换将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下，硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级，厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产
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ZGSOI芯片式高速光开关高集成度芯片化

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：840

SOI芯片式高速光开关高集成度芯片化，该产品基于硅基载流子色散效应实现纳秒级高速响应的光路切换，实现了多通道光开关阵列的单片化集成，芯片与多通道光纤和外围驱动电路一体化光电封装，热电混调，数字化驱动，偏振相关性小，插入损耗低
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ZG高速SOI芯片光电探测器阵列

更新时间：2024-12-27

型号：ZG

浏览量：944

高速SOI芯片光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
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SOI芯片式高速光衰减器

更新时间：2025-02-17

型号：

浏览量：849

SOI芯片式高速光衰减器基于硅基载流子色散效应实现高速响应的可调光路衰减，实现多通道VOA器件单片化集成，芯片与多通道光纤阵列和外围驱动电路一体化光电封装，数字化驱动，偏振相关性小，衰减范围大，调节精度高，衰减值稳定，响应时间为纳秒级，可在高速、低时延系统中应用。
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